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  科锐公布与荷兰Nexperia公司签订非排他性、全球性的付费专利许可和谈。经由过程这一和谈,Nexperia将有权利用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合,包罗了跨越300项已授权美国和国外专利,涵盖了HEMT(高电子迁徙率场效晶体管)和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多立异。这一专利组合针对新型器件布局、材料和工艺晋升,和封装手艺。这一专利授权不包罗手艺让渡。

  科锐结合开创人兼Wolfspeed首席手艺官John Palmour暗示:“科锐创建以来,对包罗GaN氮化镓和SiC碳化硅在内的新型化合物半导体材料进行了深切研究,并操纵它们的怪异机能开辟出新型器件。基在科锐数十年立异功效的器件,帮忙实现新型电源治理和无线系统的市场导入。为了加快这类新市场的增加,科锐正在对用在GaN氮化镓电源治理系统的GaN氮化镓功率器件专利展开授权。”